Name: 18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο
Brand: SOCAY
SKU: SV0402E180G2B
Rating: 4.6 (125 reviews)

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο

10000 κομμάτια

MOQ

negotiable

τιμή

Χαρακτηριστικά Εκθεσιακός χώρος Περιγραφή προϊόντων Ζητήστε ένα απόσπασμα

Χαρακτηριστικά

Προδιαγραφές

Ονομασία: Πολυστρωματικό Varistor τσιπ

Πακέτο: SMD0402

Vdc (μέγιστο): 18V

Vv (μίν.): 46V

Vv (μέγιστο): 60V

Vc (μέγιστο): 110V

Ιμαξ: 1Α

Cp (τύπος): 1 PF

Επισημαίνω:

18VDC πολυεπίπεδο chip varistor

Πολυεπίπεδο Chip Varistor Απαλλαγμένο από μόλυβδο

18VDC Βαριστορείς επιφανειακής τοποθεσίας

Βασικές πληροφορίες

Τόπος καταγωγής: Shenzhen Guangdong Κίνα

Μάρκα: SOCAY

Πιστοποίηση: REACH RoHS ISO

Αριθμό μοντέλου: SV0402E180G2B

Έγγραφο: Βιβλίο του προϊόντος PDF

Πληρωμής & Αποστολής Όροι

Χρόνος παράδοσης: 5-8 εργάσιμες ημέρες

Εκθεσιακός χώρος

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο

Περιγραφή προϊόντων

18VDC Επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδο Βαριστόρα SV0402E180G2B SMD Χρόνος ταχείας απόκρισης (<1ns)

Πολυεπίπεδο Βαριστορ DATASHEET:SV0402E180G2B_v89.1.pdf

Περιγραφή:

Το πολυεπίπεδο βαριστόρ SV0402E180G2B βασίζεται στην τεχνολογία κατασκευής πολυεπίπεδων.συμπεριλαμβανομένων εκείνων που καθορίζονται στην IEC 61000-4-2 ή σε άλλα πρότυπα που χρησιμοποιούνται για την ηλεκτρομαγνητική συμμόρφωση (EMC)Το SV0402E9R0G0B χρησιμοποιείται συνήθως για την προστασία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και άλλων εξαρτημάτων σε επίπεδο πλακέτων κυκλωμάτων.

Αντίστοιχα κυκλώματα:

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο 0

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά(25±5°C):

Σύμβολο	Ελάχιστο	Τυπικό	Μέγιστο	Μονάδες
ΔΕΔ	Επικεφαλής	Επικεφαλής	9	V
VV	11	Επικεφαλής	17	V
Επικρατεία	Επικεφαλής	Επικεφαλής	35	V
CP	Επικεφαλής	5	Επικεφαλής	pF

VDC ∆ημερινή μέγιστη τάση λειτουργίας που μπορεί να διατηρήσει ο βαριστόρας και να μην υπερβαίνει το ρεύμα διαρροής 10μA.

Η τάση της διάταξης μετρώνται σε 1mA συνεχές ρεύμα.

Εξισοδύναμη με VB έμμεση τάση

"Προσωρινή ισχύς" είναι η μέγιστη ισχύς που μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την επίτευξη των προδιαγραφών που ορίζονται στο σημείο 2 του παρόντος παραρτήματος.

Η χωρητικότητα της συσκευής μετριέται με μηδενική διαστροφή τάσης 1Vrms σε 1MHz.

Πολυεπίπεδο Βαρίστορα Χαρακτηριστικά

u Τύπος χωρίς μόλυβδο

u κεραμικό τσιπ τύπου SMD με βάση οξείδιο του ψευδαργύρου

u Το μονωτήρα πάνω από την επικάλυψη διατηρεί εξαιρετικά χαμηλό και σταθερό ρεύμα διαρροής

u Τερματισμός της επικάλυψης με καλό χαρακτηριστικό συγκόλλησης

u Γρήγορος χρόνος απόκρισης (<1ns)

u Χαμηλή τάση συμπίεσης

u Συμμόρφωση με το πρότυπο IEC61000-4-2

u Η χαμηλή χωρητικότητα μπορεί να ανταποκριθεί στην προστασία από την ενιαία παροδική τάση υψηλών ταχυτήτων

Εφαρμογές πολλαπλών στρωμάτων βαριστόρων:

u Εφαρμογές προϊόντων χαμηλής χωρητικότητας για γραμμές σήματος υψηλής ταχύτητας, όπως HDMI, DVI, USB, θύρα IEEE 1394 κλπ.

u Εφαρμογές προϊόντων κανονικής χωρητικότητας για θύρα I/O (RS232, USB, PS2, VGA, Audio) στη μητρική πλακέτα και το φορητό υπολογιστή, το Set-Top Box, τα MP3 players, τα DVD players και το σύστημα αγκυρώσεως κλπ.

Πολυεπίπεδης κατασκευή και διαστάσεις βαριστορίου:

Μέγεθος ΕΠΕ (ΕΠΕΔ)	0402 (1005)
Σύμβολο	Χιλιοστά	Χιλιοστά
Α	0.038±0.005	0.96±0.12
W	00,019±0.003	0.48±0.0.07
Τ	00,020±0.004	0.50±0.10
Γ	0.010±0.006	0.25±0.15

Γενικά τεχνικά δεδομένα:

Θερμοκρασία λειτουργίας		-40 ~ + 85oC
Θέρμανση αποθήκευσης		-40 ~ + 85oC
Χρόνος απόκρισης		< 1 ns
Συναρμολόγηση		245±5oC, 3±1 δευτερόλεπτα
Αντίσταση σε διάλυση από συγκόλληση		260±5oC, 10±1 δευτερόλεπτα
Συνθήκες αποθήκευσης της συσκευασίας με ταινία	Θέρμανση αποθήκευσης	5 ~ 40oC
	Σχετική υγρασία	Στο 65%
	Χρόνος αποθήκευσης	12 μήνες το πολύ

Περιβαλλοντική απόδοση πολλαπλών στρωμάτων βαριστορίου:

Άρθρο	Προδιαγραφές	Συνθήκη δοκιμής
Προορισμός υγρασία	△V_V/ V_V≤ ± 10%	90% RH, 40oC, τάση λειτουργίας, 1000 ώρες
Θερμικό σοκ	△V_V/ V_V≤ ± 10%	-40 oC έως 85 oC, κύκλος 30 λεπτών, 5 κύκλοι
Πλήρης τάση φορτίου	△V_V/ V_V≤ ± 10%	Εργασιακή τάση, 85oC, 1000 ώρες

Πολυστρωτή ταινία μεταφοράς βαριστορίου Διάσταση:

Μέγεθος ΕΠΕ (ΕΕΕΕ)	0402 (1005)
Σύμβολο	Χιλιοστά	Χιλιοστά
Α	0.315±0.012	8.00±0.30
Β	0.138±0.002	3.50±0.05
Γ	00,069±0.002	1.75±0.05
D0	0.061±0.002	1.55±0.05
Π0	0.157±0.004	4.00±0.10
Π1	0.079±0.002	2.00±0.05
Π2	0.079±0.002	2.00±0.05
W	00,023±0.001	0.59±0.03
Α	00,044±0.001	1.12±0.03
Τ	00,024±0.001	0.60±0.03

Ποσότητα προϊόντων στην συσκευασία με ταινίες:

ΕΠΕ μεγέθους

(ΕΥΕΔ)

0402

(1005)

Τυποποιημένη ποσότητα συσκευασίας (PCS / τροχό)

10,000

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο 3

ετικέτα:

Φαξ :

86-755-88362681

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο

18VDC πολυεπίπεδο chip varistor

Πολυεπίπεδο Chip Varistor Απαλλαγμένο από μόλυβδο

18VDC Βαριστορείς επιφανειακής τοποθεσίας

Κεραμικός βαρίστορας

Η επιφάνεια τοποθετεί Varistor

Varistor οξειδίων ψευδάργυρου

SMD 0805 Chip Varistor Πολυεπίπεδο SV0805N9R0G0A για την προστασία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων