Name: 18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο
Brand: SOCAY
SKU: SV0402E180G2B
Rating: 4.6 (125 reviews)

Χαρακτηριστικά Εκθεσιακός χώρος Περιγραφή προϊόντων Ζητήστε ένα απόσπασμα

Χαρακτηριστικά

Προδιαγραφές

Ονομασία: Πολυστρωματικό Varistor τσιπ

Πακέτο: SMD0402

Vdc (μέγιστο): 18V

Vv (μίν.): 46V

Vv (μέγιστο): 60V

Vc (μέγιστο): 110V

Ιμαξ: 1Α

Cp (τύπος): 1 PF

Επισημαίνω:

18VDC πολυεπίπεδο chip varistor

Πολυεπίπεδο Chip Varistor Απαλλαγμένο από μόλυβδο

18VDC Βαριστορείς επιφανειακής τοποθεσίας

Βασικές πληροφορίες

Τόπος καταγωγής: Shenzhen Guangdong Κίνα

Μάρκα: SOCAY

Πιστοποίηση: REACH RoHS ISO

Αριθμό μοντέλου: SV0402E180G2B

Έγγραφο: Βιβλίο του προϊόντος PDF

Πληρωμής & Αποστολής Όροι

Χρόνος παράδοσης: 5-8 εργάσιμες ημέρες

Εκθεσιακός χώρος

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο

Περιγραφή προϊόντων

18VDC Επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδο Βαριστόρα SV0402E180G2B SMD Χρόνος ταχείας απόκρισης (<1ns)

Πολυεπίπεδο Βαριστορ DATASHEET:SV0402E180G2B_v89.1.pdf

Περιγραφή:

Το πολυεπίπεδο βαριστόρ SV0402E180G2B βασίζεται στην τεχνολογία κατασκευής πολυεπίπεδων.συμπεριλαμβανομένων εκείνων που καθορίζονται στην IEC 61000-4-2 ή σε άλλα πρότυπα που χρησιμοποιούνται για την ηλεκτρομαγνητική συμμόρφωση (EMC)Το SV0402E9R0G0B χρησιμοποιείται συνήθως για την προστασία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και άλλων εξαρτημάτων σε επίπεδο πλακέτων κυκλωμάτων.

Αντίστοιχα κυκλώματα:

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο 0

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά(25±5°C):

Σύμβολο	Ελάχιστο	Τυπικό	Μέγιστο	Μονάδες
ΔΕΔ	Επικεφαλής	Επικεφαλής	9	V
VV	11	Επικεφαλής	17	V
Επικρατεία	Επικεφαλής	Επικεφαλής	35	V
CP	Επικεφαλής	5	Επικεφαλής	pF

VDC ∆ημερινή μέγιστη τάση λειτουργίας που μπορεί να διατηρήσει ο βαριστόρας και να μην υπερβαίνει το ρεύμα διαρροής 10μA.

Η τάση της διάταξης μετρώνται σε 1mA συνεχές ρεύμα.

Εξισοδύναμη με VB έμμεση τάση

"Προσωρινή ισχύς" είναι η μέγιστη ισχύς που μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την επίτευξη των προδιαγραφών που ορίζονται στο σημείο 2 του παρόντος παραρτήματος.

Η χωρητικότητα της συσκευής μετριέται με μηδενική διαστροφή τάσης 1Vrms σε 1MHz.

Πολυεπίπεδο Βαρίστορα Χαρακτηριστικά

u Τύπος χωρίς μόλυβδο

u κεραμικό τσιπ τύπου SMD με βάση οξείδιο του ψευδαργύρου

u Το μονωτήρα πάνω από την επικάλυψη διατηρεί εξαιρετικά χαμηλό και σταθερό ρεύμα διαρροής

u Τερματισμός της επικάλυψης με καλό χαρακτηριστικό συγκόλλησης

u Γρήγορος χρόνος απόκρισης (<1ns)

u Χαμηλή τάση συμπίεσης

u Συμμόρφωση με το πρότυπο IEC61000-4-2

u Η χαμηλή χωρητικότητα μπορεί να ανταποκριθεί στην προστασία από την ενιαία παροδική τάση υψηλών ταχυτήτων

Εφαρμογές πολλαπλών στρωμάτων βαριστόρων:

u Εφαρμογές προϊόντων χαμηλής χωρητικότητας για γραμμές σήματος υψηλής ταχύτητας, όπως HDMI, DVI, USB, θύρα IEEE 1394 κλπ.

u Εφαρμογές προϊόντων κανονικής χωρητικότητας για θύρα I/O (RS232, USB, PS2, VGA, Audio) στη μητρική πλακέτα και το φορητό υπολογιστή, το Set-Top Box, τα MP3 players, τα DVD players και το σύστημα αγκυρώσεως κλπ.

Πολυεπίπεδης κατασκευή και διαστάσεις βαριστορίου:

Μέγεθος ΕΠΕ (ΕΠΕΔ)	0402 (1005)
Σύμβολο	Χιλιοστά	Χιλιοστά
Α	0.038±0.005	0.96±0.12
W	00,019±0.003	0.48±0.0.07
Τ	00,020±0.004	0.50±0.10
Γ	0.010±0.006	0.25±0.15

Γενικά τεχνικά δεδομένα:

Θερμοκρασία λειτουργίας		-40 ~ + 85oC
Θέρμανση αποθήκευσης		-40 ~ + 85oC
Χρόνος απόκρισης		< 1 ns
Συναρμολόγηση		245±5oC, 3±1 δευτερόλεπτα
Αντίσταση σε διάλυση από συγκόλληση		260±5oC, 10±1 δευτερόλεπτα
Συνθήκες αποθήκευσης της συσκευασίας με ταινία	Θέρμανση αποθήκευσης	5 ~ 40oC
	Σχετική υγρασία	Στο 65%
	Χρόνος αποθήκευσης	12 μήνες το πολύ

Περιβαλλοντική απόδοση πολλαπλών στρωμάτων βαριστορίου:

Άρθρο	Προδιαγραφές	Συνθήκη δοκιμής
Προορισμός υγρασία	△V_V/ V_V≤ ± 10%	90% RH, 40oC, τάση λειτουργίας, 1000 ώρες
Θερμικό σοκ	△V_V/ V_V≤ ± 10%	-40 oC έως 85 oC, κύκλος 30 λεπτών, 5 κύκλοι
Πλήρης τάση φορτίου	△V_V/ V_V≤ ± 10%	Εργασιακή τάση, 85oC, 1000 ώρες

Πολυστρωτή ταινία μεταφοράς βαριστορίου Διάσταση:

Μέγεθος ΕΠΕ (ΕΕΕΕ)	0402 (1005)
Σύμβολο	Χιλιοστά	Χιλιοστά
Α	0.315±0.012	8.00±0.30
Β	0.138±0.002	3.50±0.05
Γ	00,069±0.002	1.75±0.05
D0	0.061±0.002	1.55±0.05
Π0	0.157±0.004	4.00±0.10
Π1	0.079±0.002	2.00±0.05
Π2	0.079±0.002	2.00±0.05
W	00,023±0.001	0.59±0.03
Α	00,044±0.001	1.12±0.03
Τ	00,024±0.001	0.60±0.03

Ποσότητα προϊόντων στην συσκευασία με ταινίες:

ΕΠΕ μεγέθους

(ΕΥΕΔ)

0402

(1005)

Τυποποιημένη ποσότητα συσκευασίας (PCS / τροχό)

10,000

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο 3

ετικέτα:

Τηλ.: :	+8618126201429
Φαξ :	86-755-88362681

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο

18VDC πολυεπίπεδο chip varistor

Πολυεπίπεδο Chip Varistor Απαλλαγμένο από μόλυβδο

18VDC Βαριστορείς επιφανειακής τοποθεσίας

Κεραμικός βαρίστορας

Η επιφάνεια τοποθετεί Varistor

Varistor οξειδίων ψευδάργυρου

1206 Πολυεπίπεδο Chip Varistor SV1206N220G0A Για μητρική πλακέτα υπολογιστών

Πολυεπίπεδο κεραμικό βαριστόριο chip SV0402E9R0G0B SMD τύπου βαριστόριο οξειδίου του ψευδαργύρου

SOCAY Πολυεπίπεδο Chip Varistor 385V DC SV1812H471G0A 1812 σειρά 2.3J Wmax

SV0402E5R5G1B Πολυεπίπεδο Chip Varistor SMD 0402 Πακέτο Max VDC 5.5V

SMD 0805 Chip Varistor Πολυεπίπεδο SV0805N9R0G0A για την προστασία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

18VDC επιφανειακή τοποθέτηση πολυεπίπεδης διάταξης chip varistors SV0402E180G2B SMD τύπου χωρίς μόλυβδο

SMD 0603 Surface Mount Varistor SV0603N300G0A Για φορητό υπολογιστή

SMD 1210 Τύπος Πολυεπίπεδο Chip Varistor SV1210N470G0A Varistor οξειδίου του ψευδαργύρου 47V DC